Prisposobenie RF mosfetu na zaklade S parametrov

Chcete pomocť v oblasti VF techniky?

Moderátori: mirosne, Moderátori

Používateľov profilový obrázok
zawin
Administrátor
Administrátor
Príspevky: 2644
Dátum registrácie: 17 Júl 2006, 00:00
Vek: 34
Kontaktovať používateľa:

Prisposobenie RF mosfetu na zaklade S parametrov

Príspevok od používateľa zawin » 01 Máj 2013, 12:05

Ahojte,
chcem spravit RF koncovy stupen pre pasmo 144MHz s tranzistorom 2SK2973 - http://www.datasheetcatalog.org/datashe ... Xuxvwq.pdf

Neviem si vsak rady ako na zaklade S parametrov tranzistora vypocitat vstupnu a vystupnu impedanciu a podla toho navrhnut impedancne prisposobenie na 50R. Vedel by niekto poradit?

Dakujem
0
Sú dve veci, ktoré sú nekonečné - vesmír a ľudská hlúposť. Ale s vesmírom som si ešte nie celkom istý. /Einstein/

OM0XA
Stály člen
Stály člen
Príspevky: 235
Dátum registrácie: 03 Okt 2012, 23:18
Bydlisko: Poprad

Re: Prisposobenie RF mosfetu na zaklade S parametrov

Príspevok od používateľa OM0XA » 01 Máj 2013, 23:14

Ahoj.
Nemam presnu odpoved, ale wikipedia hovori okrem ineho aj:


Each 2-port S-parameter has the following generic descriptions:

S11, is the input port voltage reflection coefficient
S12, is the reverse voltage gain
S21, is the forward voltage gain
S22, is the output port voltage reflection coefficient.


Any 2-port S-parameter may be displayed on a Smith chart using polar co-ordinates, but the most meaningful would be S11, and S22, since either of these may be converted directly into an equivalent normalized impedance (or admittance) using the characteristic Smith Chart impedance (or admittance) scaling appropriate to the system impedance.
0

OM0XA
Stály člen
Stály člen
Príspevky: 235
Dátum registrácie: 03 Okt 2012, 23:18
Bydlisko: Poprad

Re: Prisposobenie RF mosfetu na zaklade S parametrov

Príspevok od používateľa OM0XA » 01 Máj 2013, 23:19

Tu máš to čo potrebuješ:
http://thebeekeeper.net/sci/sparams.pdf
0

Používateľov profilový obrázok
zawin
Administrátor
Administrátor
Príspevky: 2644
Dátum registrácie: 17 Júl 2006, 00:00
Vek: 34
Kontaktovať používateľa:

Re: Prisposobenie RF mosfetu na zaklade S parametrov

Príspevok od používateľa zawin » 02 Máj 2013, 21:45

Vdaka za odkazy, idem to prestudovat. Dufam ze sa v tom spravne zorientujem :)
0
Sú dve veci, ktoré sú nekonečné - vesmír a ľudská hlúposť. Ale s vesmírom som si ešte nie celkom istý. /Einstein/

Používateľov profilový obrázok
zawin
Administrátor
Administrátor
Príspevky: 2644
Dátum registrácie: 17 Júl 2006, 00:00
Vek: 34
Kontaktovať používateľa:

Re: Prisposobenie RF mosfetu na zaklade S parametrov

Príspevok od používateľa zawin » 02 Jan 2014, 19:00

Zdravim, trocha ozivim tuto schemu. Akurat riesim tento problem zas.

Neviem ako vypocitat vystupnu impedanciu tranzistora pre vystupny Pi filter. Konkretne mi nieje jasne, ci sa vysledna impedancia spocita ako paralelna kombinacia vystupnej impedancie tranzistora a reaktancie cievky v kolektore alebo je iny postup.

Dakujem za pomoc
0
Sú dve veci, ktoré sú nekonečné - vesmír a ľudská hlúposť. Ale s vesmírom som si ešte nie celkom istý. /Einstein/

Používateľov profilový obrázok
BFX
Ultimate člen
Ultimate člen
Príspevky: 2506
Dátum registrácie: 04 Sep 2013, 19:41
Bydlisko: Košice
Vek: 50

Re: Prisposobenie RF mosfetu na zaklade S parametrov

Príspevok od používateľa BFX » 02 Jan 2014, 19:17

0
“Nice looking” circuit construction doesn't always equate to good circuit performance.
http://www.arrl.org/files/file/Product% ... pter_1.pdf
Na predaj: p-bfx-predava-kto-zavaha-prerobi-t41148.html

Balzer1
Stály člen
Stály člen
Príspevky: 132
Dátum registrácie: 04 Apr 2008, 00:00
Bydlisko: Levice
Vek: 34

Re: Prisposobenie RF mosfetu na zaklade S parametrov

Príspevok od používateľa Balzer1 » 02 Jan 2014, 19:21

Ahoj,
už je to nejaký čas, čo som niečo podobné (aj to len v škole) riešil. Ja som mal niečo ako tvoj prípad - tranzistor so S parametrami, resp. "S-parametrový" model tranzistora. Tento prispôsobiť na nejaké frekvencie k vstupu a výstupu. Riešil/i sme to však len pomocou vedení, nie obyčajnými pasívnymi súčiastkami a všetko sa simulovalo v ADSku. Som ochotný Ti poslať elaborát (možno Ťa to zaujme), ale len súkromnou poštou :)
0

Používateľov profilový obrázok
zawin
Administrátor
Administrátor
Príspevky: 2644
Dátum registrácie: 17 Júl 2006, 00:00
Vek: 34
Kontaktovať používateľa:

Re: Prisposobenie RF mosfetu na zaklade S parametrov

Príspevok od používateľa zawin » 03 Jan 2014, 11:09

Dakujem za rady. Stale vsak badam nad tym akym sposobom zahrnut do vypoctu indukcnost v kolektore tranzistora.
0
Sú dve veci, ktoré sú nekonečné - vesmír a ľudská hlúposť. Ale s vesmírom som si ešte nie celkom istý. /Einstein/

Napísať odpoveď
  • Podobné témy
    Odpovedí
    Zobrazení
    Posledný príspevok